Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Теней эффект
Возникновение характерных минимумов интенсивности (теней) в угловом распределении частиц, вылетающих из узлов кристаллической решетки

Анимация

Описание

Теней эффект, возникновение характерных минимумов интенсивности (теней) в угловом распределении частиц, вылетающих  из узлов кристаллической решетки. Теней эффект наблюдается для положительно заряженных частиц: протонов, дейтронов, a-частиц и более тяжелых ионов. Тени образуются в направлениях кристаллографических осей (осевая тень) и плоскостей (плоскостная тень). Тени обусловлены отклонением частиц, движущихся в направлении оси или плоскости, внутриатомными электрическими полями атомов, встречающихся на их пути (рис. 1).

 

Образование теней на экране

 

 

Рис. 1

 

Угловые размеры тени определяются соотношением:

 

,

 

где x0 - полуширина тени;

Z1e  и e - заряд и энергия движущейся частицы;

Z2e - заряд ядра атома кристалла;

l - расстояние между соседними атомами цепочки.

 

Интенсивность потока частиц (I) в центре тени для кристалла (без дефектов) примерно в 100 раз меньше, чем на периферии (рис. 2).

 

Угловое распределение интенсивности потока вылетающих из кристалла частиц в области тени

 

 

Рис. 2

 

Впервые тени наблюдались в потоках частиц - продуктов ядерных реакций на ядрах кристаллической мишени, облученной ускоренными частицами. В опытах Домея и Бьерквиста источником заряженных частиц являлись a - радиоактивные ядра, введенные в узлы кристаллической решетки (методом ионного внедрения). Из-за большей универсальности первого метода практически все последующие эксперименты проводились  по его схеме. В частности, с помощью этого метода удалось наблюдать плоскостные тени, имеющие форму прямых линий.

При использовании фотографических эмульсий можно регистрировать теневую картину (ионограмму) в большом телесном угле (рис. 3).

 

Ионограмма кристалла (плоскостная тень, негативное изображение)

 

 

Рис. 3

 

Расположение пятен и линий на ионограмме зависит от структуры кристалла и геометрических условий опыта. Распределение интенсивности в пределах одной тени (осевой или плоскостной) определяется многими факторами (составом и структурой кристалла, сортом и энергией движущихся частиц, температурой кристалла, количеством дефектов). Пятна и линии на ионограмме по своей природе принципиально отличны от пятен и линий, получаемых при изучении кристалла дифракционными методами. Из-за малой длины волны де Бройля  у тяжелых частиц дифракционные явления практически не оказывают влияния на образование теней.

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Применение эффекта

Теней эффект используется в ядерной физике и физике твердого тела. На базе теней эффекта разработан метод измерения времени t протекания ядерных реакций в диапазоне 10-16-10-18 с. Информация о величине t извлекается из формы теней в угловых распределениях заряженных частиц - продуктов ядерной реакции (форма тени определяется смещением составного ядра за время его жизни из узла решетки). Теней эффект используется для исследования структуры кристаллов, распределения примесных атомов и дефектов. Теней эффект относится к группе ориентационных явлений, наблюдаемых при облучении кристаллов потоками частиц.

Реализации эффекта

Техническая реализация эффекта

Наблюдение производится в геометрии рис. 4 на сцинцилляционном экране.

 

Название

 

 

Рис. 4

 

Естественно, объем эксперимента предпочитительно вакуумировать, чтобы избежать возможного размытия теней из-за рассеяния потока в воздухе.

Литература

1. Физика. Большой энциклопедический словарь.- М.: Большая Российская энциклопедия, 1999.

2. Новый политехнический словарью.- М.: Большая Российская энциклопедия, 2000.

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина