Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Возникновение сверхпроводимости в органических веществах
Возникновение сверхпроводимости в органических веществах

Анимация

Описание

Органические сверхпроводники – соединения углерода с некоторыми элементами (Н, О, S, N, Р), обладающие сверхпроводящими свойствами.
Открытие Джеромом и др. сверхпроводимости в органическом соединении (TMTSF)2PF6 (тетраметил-тетраселенофульвален-гексафторфосфат), а затем в целом ряде родственных соединений (TMTSF)2X, где X = Сl4, AsF6, SbF6 и др., с температурой сверхпроводящего перехода Tс ~ 0.8-1.3К явилось успешным завершением целенаправленных поисков органических сверхпроводников, длившихся свыше 15 лет. Исследования в этом направлении стимулировала работа Литтла, в которой было высказано предположение, что в органических системах одномерного типа можно реализовать высокотемпературную сверхпроводимость на основе экситонного механизма. Вскоре Кеплер нашел ряд органических квазиодномерных соединений — ион-радикальные соли тетрацианхинодиметана (TCNQ), которые обладали металлическими свойствами при комнатной температуре. Однако исследования этих солей при низких температурах, выполненные Щеголевым и его сотрудниками, показали, что они при охлаждении переходят в диэлектрическое состояние. Последующее детальное изучение органических соединений позволило выяснить причины потери металлических свойств и найти пути достижения сверхпроводящего состояния.
Тенденция этих соединений к диэлектрическому переходу связана с тем, что органические молекулы типа TGNQ упаковываются в кристалле, образуя цепочки или стопки. Коллективизированные π-электроны двигаются достаточно хорошо вдоль стопок, но движение их между цепочками затруднено. В результате движение электронов проводимости (π-электронов) обладает сильной анизотропией одномерного типа. Между тем теоретические исследования показали, что пайерлсовская неустойчивость, вызванная электрон-фононным взаимодействием, локализация электронов из-за неупорядоченности решетки и кулоновское взаимодействие электронов приводят к диэлектрическому характеру одномерных электронных систем. Поэтому большинство квазиодномерных кристаллов с хорошей проводимостью при комнатной температуре оказалось пайерлсовскими диэлектриками при низких температурах. Классическое поведение такого типа было обнаружено в соединении TTF-TGNQ (TTF - тетратиофульвален) с температурой пайерлсовского перехода ТР ~ 55 К.
Механизмы, ведущие к диэлектрическому переходу при охлаждении, ослабляются, если увеличивать перекрытие электронных волновых функций соседних цепочек, т. е. увеличивать степень двумерности или трехмерности электронного движения. Плоская молекула TMTSF, синтезированная Бечгардом и использованная им для получения ион-радикальных солей, оказалась подходящей для обеспечения хорошего перекрытия электронных волновых функций соседних цепочек. Использование этой молекулы, содержащей четыре атома селена в цепи сопряжения, и привело к получению первых органических сверхпроводников.
После обнаружения сверхпроводимости в классе соединений (TMTSF)2X список органических сверхпроводников пополнился представителями нового класса (BEDT—TTF)X. Молекула BEDT-TTF (бис-этилендитиоло-тетра-фульвален) имеет восемь атомов серы в цепи сопряжения, и переход от TMTSF к BEDT-TTF позволил создать органические соединения с еще меньшей анизотропией. В соли (BEDT-TTF)4(Re04)2 Паркин и др. обнаружили сверхпроводимость под давлением выше 4 кбар и Т < Тс ~ 1,5-2 К. Соли BEDT-TTF с I, полученные Ягубским, дали сверхпроводящий переход при Тс ~ З К без приложения внешнего давления.
 

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Используется в научно-технических эффектах

Электромагнит или соленоид, обмотки которых выполнены из материала, находящегося во время работы в сверхпроводящем состоянии (Магнит сверхпроводящий)

 

Используется в областях техники и экономики

1Криогенная техника
1Криоэлектроника
1Электропривод
1Силовая преобразовательная техника
1Электрические аппараты

 

Используются в научно-технических эффектах совместно с данным эффектом естественнонаучные эффекты

1Переход проводников в сверхпроводящее состояние при высокой критической температуре (Сверхпроводимость высокотемпературная)
1Возникновение сверхпроводимости в органических веществах (Возникновение сверхпроводимости в органических веществах)
1Магнитное охлаждение (Адиабатическое размагничивание)
1Фазовые переходы по Ландау (Фазовые переходы по Ландау )

 

Применение эффекта

Основным стимулом для развития техники и технологий сверхпроводников являются широчайшие возможности их применения в электронике. Исследования органических сверхпроводников связано с вопросом получения материалов с высокой температурой перехода в состояние сверхпроводимости. Достаточно сказать, что за открытие высокотемпературного сверхпроводника в 1984г. была немедленно присуждена нобелевская премия.
Спектр применений сверхпроводников значителен. Сверхпроводники представляют собой идеальный материал для изготовления электромагнитов, который затем могут использоваться в области медицинской электронной томографии, создании установок термоядерного синтеза. Сверхпроводники могут использоваться для создания различных генераторов, двигателей, транспортных систем. В случае использования органических материалов можно говорить о создании транзисторов на основе одной клетки.
Помимо возможности достижения более высоких температур перехода в сверхпроводимость существует ряд преимуществ органики над неорганическими сверхпроводниками. Органика, к примеру, открывает дальнейшие пути развития микроминиатюризации электронных устройств, вплоть до молекулярного уровня. Органика состоит из весьма распространенных в природе веществ. Органические молекулы обладают значительным разнообразием, способны к плавной перестройке, что может привести к созданию веществ с точным, заранее известным набором необходимых свойств.

 

 

 

Реализации эффекта

Сверхпроводящее состояние может быть достигнуто в органических , соединениях, имеющих характерный для металлов тип проводимости при низких температурах. Исследование органической проводимости показало, что электрическая проводимость металлического типа наблюдается у органических кристаллов с достаточно хорошим перекрытием электронных орбиталей (по крайней мере в двух направлениях). Возможность достижения сверхпроводимости в соединениях без единого атома металла, но с двумерным (слоистым) характером электронного движения была установлена П. Грином (P. L. Green) и др. (1975) в результате синтеза полимера полисульфурнитрида (SN)X (рис. 1).
молекула полисульфурнитрида

Рис. 1
Молекулы в кристаллах этого полимера сближены настолько, что движение электронов в двух направлениях практически изотропно, проводимость, кристаллов достигает значений 5*10–5 Ом–1*см–1 при 4 К, ниже критической температуры 0,3 К наблюдается сверхпроводимость.
Плоские молекулы образуют стопки, вдоль которых движутся электроны проводимости – π–электроны атомов углерода и селена. Боковые атомы селена молекул TMTSF обеспечивают довольно хорошее перекрытие волновых функций электронов проводимости также и для молекул TMTSF соседних стопок. В результате слои, образованные из стопок катионов TMTSF, обеспечивают двумерное движение электронов с анизотропией внутри слоев – вдоль стопок подвижность электронов наивысшая. В медленно охлаждаемых кристаллах (TMTSF)2ClO4 сверхпроводящее состояние достигается ниже Тс = 1,3 К, во всех других соединениях семейства (TMTSF)2X из–за анизотропии движения электронов внутри слоев охлаждение приводит к фазовым переходам металл – диэлектрик. Для достижения металлического основного состояния и сверхпроводимости с Тс < 1 К требуется давление порядка нескольких сотен МПа. В сверхпроводниках (TMTSF)2X обнаружены все обычные проявления сверхпроводимости – нулевое электрическое сопротивление, эффект Мейснера в слабых магнитных полях, скачок теплоёмкости в точке Тс, уменьшение плотности состояний в спектре квазичастиц по сравнению с нормальным состоянием. Все они относятся к сверхпроводникам 2–го рода, т. к. лондоновская глубина проникновения в них велика из–за малой плотности электронов проводимости, а сверхпроводящая корреляционная длина мала из–за сравнительно малой фермиевской скорости vF электронов даже для направления вдоль стопок TMTSF. Магнитные свойства сверхпроводников (TMTSF)2X, т. е. значения нижнего и верхнего критических магнитных полей, сильно зависят от направления внешнего магнитного поля из–за анизотропии движения электронов в нормальном состоянии (рис. 2).
Зависимость верхних критических полей Нс2 от температуры Т в (TMTSF)2C1O4. Внешнее магнитное поле направлено: 1 – вдоль стопок (ось a), 2– вдоль слоев перпендикулярно стопкам (ось b), 3 – поперёк слоев (ось c)
 
Рис. 2
Поведение семейства органических сверхпроводников (TMTSF)2X при температурах Т << Тс отклоняется от стандартного поведения сверхпроводников, описываемых Бардина – Купера – Шриффера моделью (БКШ). Так, зависимость НС2(Т) линейна вплоть до самых низких температур, и при Т<<Тс значения НС2 для направления вдоль оси а (вдоль стопок) превосходят парамагнитный предел (согласно модели БКШ, кривизна графической зависимости НС2 от температуры отрицательна, а значения НС2 не превосходят парамагнитный предел). Вторая аномалия органических сверхпроводников проявляется по влиянии немагнитных примесей на величину Тс: при довольно малой их концентрации сверхпроводимость исчезает, в то время как в модели БКШ такой эффект примесей становится заметным лишь вблизи порога андерсеновской локализации электронов, когда длина свободного пробега электронов приближается к межмолекулярной.

Литература

1. Буздин А.И., Булаевский Л.Н. // УФН. т.144(3). с.415. 1984ю

2. Прохоров А.М. Физическая энциклопедия.Т.4. – М.: Большая Российская энциклопедия. 1994.

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина