Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Термолюминесценция
Люминесценция, возникающая при нагревании вещества, предварительно возбуждённого оптическим или ионизирующим излучением

Анимация

0

Описание

Термолюминесценция возникает во многих кристаллофосфорах, минералах, стёклах и органических люминофорах. Термолюминесценция обусловлена особенностями строения энергетических зон указанных веществ (см. рис. 1) и по механизму преобразования энергии является рекомбинационной люминесценцией.

 

Структура энергетических зон термолюминофоров

 

 

Рис. 1

 

Обозначения:

1 - валентная зона;

2 - зона проводимости;

3 - энергетический уровень центра люминесценции;

4 - мелкий ловушечный уровень.

 

По другой классификации термолюминесценция может быть отнесена к фосфоресценции. Для осуществления термолюминесценции необходимо наличие в запрещённой энергетической зоне уровня центров люминесценции 3 и мелкого ловушечного уровня 4 вблизи дна зоны проводимости. Появление этих уровней обусловлено примесями и дефектами кристаллической решётки.

При воздействии оптического или ионизирующего излучения на люминофор происходит как возбуждение центра люминесценции с переходом электрона в зону проводимости и образованием положительного иона, так и образование электронно-дырочной пары за счет возбуждения атомов основного вещества также с переходом электрона в зону проводимости. В большинстве случаев правила отбора запрещают непосредственную рекомбинацию, т.е. непосредственный возврат электрона на уровень центра люминесценции или в валентную зону. При этом электрон в процессе миграции по люминофору может быть захвачен ловушечным уровнем с безызлучательной потерей энергии. Получая энергию за счёт нагрева люминофора, электрон возвращается в зону проводимости, а затем рекомбинирует с ионом примеси или с дыркой, излучая квант света.

Зависимость интенсивности термолюминесценции от температуры люминофора называют кривой термовысвечивания. У реальных кристаллофосфорах, где наблюдается набор как центров люминесценции, так и ловушечных уровней, кривая термовысвечивания имеет несколько максимумов.

Для простейшей модели кристаллофосфора с одним уровнем люминесценции и с одним ловушечным уровнем (см. рис. 1) интенсивность люминесценции, измеряемое числом испускаемых квантов в единицу времени, определяется как:

 

,

 

где a - квантовый выход рекомбинационной люминесценции (отношение квантов, обусловленных рекомбинацией, к общему числу квантов);

n0 - количество захваченных электронов;

p0 - предельная частота колебаний кристаллической решётки;

e - энергия активации центра люминесценции;

k - постоянная Больцмана;

Т0 - начальная температура люминофора;

T - температура люминофора;

b - скорость нагрева.

 

Термолюминесценция носит феноменологический характер.

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Применение эффекта

Пример использования в технике - сцинтиляционные экраны с подогревом для физических исследований.

Реализации эффекта

Термолюминесцентный дозиметр ионизирующего излучения

Пример технической реализации - термолюминесцентный дозиметр ионизирующего излучения, представляющий собой стеклянную ампулу, в которую помещён люминофор, нанесённый на нагревательный элемент. Ампула размещается вблизи катода фотоэлектронного умножителя, являющегося приёмником термолюминесцентного излучения.

Литература

1. Физика. Большой энциклопедический словарь / Гл. ред. А.М.Прохоров. 4е изд.- М.: Большая Российская энциклопедия, 1998.- С.824.

2. Шварц К.К., Грант З.А., Межс Т.К., Грубе М.М. Термолюминесцентная дозиметрия.- Рига: Зинатне, 1968.- С.160.

3. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров.- М.: Наука, 1964.- С.284.

4. Thermoluminescence and thermoluminescent dosimetry. CRCpress, 1984.- V.1.- P.183, V.2.- P.222, V.3.- P.200.

5. Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники.- М.: Физматгиз, 1963.- C.264.

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина