Анодная часть разряда   является переходной областью между плазмой положительного столба и металлом анода. В пределах области анода происходит переход от условий в положительном столбе, в котором ионы движутся к катоду, к условиям у анода, где ток переносится только электронами. Поскольку анод не эмитирует и от­талкивает положительные ионы, у самой поверхности металла их нет. Между анодом и электронейтральной плазмой положитель­ного столба имеется слой отрицательного объемного заряда, в ко­тором поле уменьшается в направлении от анода к столбу (рис.1). μ+ - подвижность ионов. μ_е - подвижность электронов. Плотность электронного тока j_e изменяется в слое на незначи­тельную величину (μ+/μe)j, а плотность ионного j+ вырастает от нуля до (μ+/μe)j в плазме (рис.2). j - плотность тока в положительном столбе. Ионный ток I+ втекаю­щий в положительный столб, образуется в результате рождения зарядов в анодном слое, причем для этого электрону достаточно произвести ничтожное число ионизации μ+/μe. В самом деле:

α-коэфициент ионизации.

 

Получается, что поток электронов на анод чуть больше, чем дрейфовый поток в положительном столбе, так как отсутствие ионного тока у анода в стационарном процессе должно быть возмещено дополнительным электронным током. Следовательно, в анодном слое должно рождаться электронов и ионов немного больше, чем в равном объеме положительного столба, и поле здесь должно быть сильнее. Однако достаточно гораздо более слабой дополнительной ионизации, чем в катодном слое, так как «дисбаланс» определяется не электронным, а в μ+/μe <<1 более слабым ионным потоком. Поэтому поле в анодном слое не намного больше поля в положительном столбе. Определение φ следует из:

В разряде с анодом небольшой площади в этой области возникает сильное электрическое поле, оттягивающее ионы от анода.. При такой же, как в столбе, скорости образования ионов отрицательный объёмный заряд не может быть скомпенсирован. Устанавливается положительное анодное падение такой величины, что ускоренные на его протяжении электроны производят дополнительную ионизацию, поставляющую необходимое количество ионов. Электроны, проходя область положительного анодного падения, в определенном  участке приобретают энергию, при которой велика вероятность возбуждения, что вызывает образование анодного свечения.

Согласно старым измерениям в трубках при p < 1-10 торр, V_A ~ 10-20 В, причём значение анодного падения в каждом газе сопоставимо с его потенциалом ионизации. Плотоность тока на аноде имеет порядок 10^-4 - 10^-3 А/см² ; в азоте вблизи анода измерены поля Е/р ~ 600-200 В/(см торр), чему отвечает толшина слоя dr ~ 0.05/р см порядка длины пробега электрона. В работах последенего времени показано, что при средних давлениях анодное падение увеличиватся с ростом давления, в электроотрицательных газах этот эффект проявляется сильнее (рис.1).

На основе разряда с острийным анодом разработана конструкция простого и экономичного микроплазменного источника ионов, который может устанавливаться в любом высоковакуумном объеме с системой откачки мощностью более 100 л/с. Простота конструкции, легкость управления, высокая экономичность, наряду с реализацией высоких плотностей ионного тока и угловой яркости, позволяет говорить о перспективности применения микроплазменного источника ионов и метастабильных атомов в устройствах диагностики поверхности и технологиях размерной обработки при производстве изделий электронной техники. Так же анодное падение применяется в точечных источников света и микроплазмотронах.