Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Электронно стимулированная десорбция
Разрушение поверхности твердого тела под действием медленных электронов

Описание

Один из важных разделов современной науки посвящен исследованию явлений, происходящих при взаимодействии фотонов, ионов и электронов с веществом. При определенных условиях эти частицы могут приводить к разрушению твердых тел. Ранее считалось, что для этой цели, например, ионам достаточна энергия в несколько десятков эВ, а электроны необходимо разгонять до энергии в сотни кэВ. Однако не так давно было обнаружено, что и более медленные электроны (с энергиями всего лишь в несколько десятков эВ) также разрушают твердые тела. Поскольку такие электроны проникают в твердое тело на незначительную глубину, то в этом случае часто говорят о разрушении поверхности твердого тела.
Частицы, сталкиваясь с твердым телом, передают часть импульса и энергии атомам, входящим в состав самого твердого тела. Если переданная энергия окажется сравнимой с энергией связи атома в решетке твердого тела или выше этого значения, то он может либо сместиться на значительное от своего равновесного положения расстояние либо вовсе покинуть твердое тело. Для атома водорода энергия связи составляет ~10 эВ. Тогда при облучении мишени электронами для разрушения твердого тела понадобится энергия электрона ~104 эВ. Подобным образом можно оценить энергии частиц, необходимые для разрушения адсорбированных слоев. Энергии связи хемосорбированных атомов или молекул сравнимы с энергиями связи атомов в твердых телах. В отличие от этого к десорбции физически адсорбированных молекул, энергии связи которых значительно меньше (~12 эВ), приводит бомбардировка частицами с существенно меньшими энергиями. Например, при использовании электронов такой процесс для тяжелых молекул должен протекать при энергиях в сотни эВ. Необходимо отметить, что при соударениях частиц с твердым телом передача энергии происходит одновременно многим атомам, поэтому значения пороговых энергий, полученные опытным путем, оказываются в несколько раз выше расчетных, когда учитывается лишь парное взаимодействие частиц. В последнее время получены надежные экспериментальные данные, свидетельствующие о том, что для ряда объектов десорбция с их поверхности, а в некоторых случаях и разрушение самих объектов происходят при энергиях электронов, меньших 50 эВ. Таким процессам, несмотря на некоторую некорректность, присвоено общее название – электронно-стимулированная десорбция (ЭСД). Для их объяснения привлекают неупругие процессы, связанные с возбуждением электронной подсистемы твердого тела.
Первая модель ЭСД была предложена Д. Менцелем, Р. Гомером и П.А. Рэдхедом в 1964 году для системы, состоящей из металла и адсорбированной на его поверхности нейтральной частицы (МГР-модель). Согласно этой модели, падающие электроны переводят электронную подсистему в одно из возбужденных состояний. Ионизация и нейтрализация частицы происходят настолько быстро, что за это время они практически не успевают сместиться (рис.1). Это позволяет переходы из одного состояния в другое изображать вертикальными стрелками. Поскольку радиус положительного иона меньше радиуса нейтрального атома, минимум потенциальной энергии возбужденного состояния (M + A+), соответствующий равновесному состоянию частицы, лежит ближе к поверхностным атомам металла по сравнению с минимумом основного состояния (M + A). Если принять во внимание еще и силы зеркального изображения, появляющиеся после ионизации атома, то понятно, что ионизованная частица вначале будет двигаться по направлению к поверхности, набирая кинетическую энергию.
Диаграмма потенциальной энергии системы металл адсорбат

Рис. 1
(М+А) основное, (М+А)а антисвязанное и (М-+) ионное состояния. Стрелками указаны некоторые из возможных переходов
По мере движения она приближается к металлу, в результате чего резко возрастает вероятность перехода электронов из металла к иону (этот процесс называется туннелированием). В конце концов, туннелирование происходит, и ион вновь превращается в нейтральный атом, возвращая систему в исходное состояние. Полная энергия атома складывается из потенциальной энергии в состоянии M + A и кинетической энергии Ek, которую набрал ион при движении к поверхности. После нейтрализации иона силы зеркального изображения исчезают и остаются лишь силы, выталкивающие частицу с поверхности в вакуум, так как атом теперь находится в антисвязанном состоянии (рис. 1). Естественно, что скорость движения уменьшается и на некотором расстоянии происходит отражение частицы (направление скорости изменяется на противоположное). Возвратившись в положение, в котором произошла нейтрализация, частица обладает той же кинетической энергией, которую набрала при движении к поверхности в виде иона (Ek). Если величина этой энергии больше глубины потенциальной ямы, в которой находится атом, то он десорбируется.

 

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Применение эффекта

Описанный эффект относится к области фундаментальной физики. Наибольшие успехи в объяснении и изучении явлений ЭСД достигнуты в последние годы, что стало возможным благодаря использованию новых (туннельная и атомно-силовая микроскопия) и совершенствованию существовавших методов исследования поверхности. С их помощью удалось непосредственно наблюдать изменения на поверхности, вносимые электронами, изучить пространственные и энергетические распределения эмитированных частиц, что позволило внести существенные коррективы в наши представления о механизмах ЭСД. Возник вполне оправданный интерес к техническим приложениям, которые могут быть реализованы на основе этого явления. Так, в настоящее время делаются попытки использовать электронно-стимулированную десорбцию для создания прецизионных источников вещества, которое накапливается в приповерхностном слое за счет преимущественной десорбции одного из компонентов. В то же время оказалось, что оставляемый электронным пучком след на поверхности может быть пригодным для записи информации с высокой степенью плотности. Понимание механизмов ЭСД позволяет использовать это явление для получения разнообразной информации о поверхности твердого тела и происходящих на ней процессах. Важным преимуществом ЭСД по сравнению с другими методами диагностики поверхности, в частности, электронной спектроскопией, является то, что с ее помощью можно анализировать самый верхний слой атомов твердого тела, в то время как с помощью электронной спектроскопии, как правило, очень трудно разделить сведения от верхнего слоя и более глубоколежащих слоев, так как глубина выхода анализируемых электронов составляет несколько атомных слоев.

Реализации эффекта

 

ЭСД позволяет выявлять специфические формы взаимодействия частиц различной химической природы на поверхности твердого тела, которые могут играть роль промежуточных состояний в гетерогенном катализе. Например, ЭСД водорода, адсорбированного на вольфраме, предварительно насыщенном кислородом или окисью углерода, установила наличие β-состояния водорода, обладающего экстремально большим поперечным сечением десорбции: 10-16 см2. Резкое возрастание поперечного сечения десорбции водорода было обнаружено также в присутствии окиси углерода на палладии. Взаимодействие между адсорбированными частицами также существенно сказывается на виде энергораспределения десорбирующихся ионов. Например, присутствие примеси окиси углерода в адсорбированном слое водорода на палладии приводило к появлению в энергетическом распределении ионов Н+ дополнительного более высокоэнергетического максимума и сдвигу максимума, соответствующего распределению ионов Н+ при отсутствии окиси углерода, на ~2 эВ в область меньших энергий (рис. 2).
Энергораспределение ионов Н+ при ЭСД с поверхности палладия с адсорбированным насыщенным слоем: чистого водорода (а) и смеси газов 90% Н2 + 10% СО (б)

Рис. 2

 

Многообещающим является использование ЭСД для определения локализации адсорбированных частиц на поверхности твердого тела и характера их связи. Например, было показано, что активное к ЭСД состояние кислорода на грани W (100) связано с атомами кислорода, адсорбированными на вершинах одиночных атомов W, и что главным каналом их возбуждения при ЭСД является образование остовных вакансий на уровнях (4f+5p3/2)W. Анализ зависимостей выхода ионов Н+ от энергии бомбардирующих поверхность электронов при адсорбции воды на грани Si (111) однозначно показал, что вода диссоциирует на этой грани при комнатной температуре, образуя состояния Si Н и Si О  Н. На основе температурных и энергетических зависимостей для ионов O+ удалось различить молекулярную и диссоциативную формы адсорбции NO на грани Pt (100).

 

Особенно информативным для определения направления связи адсорбированных частиц на поверхности и их локализации по отношению к элементарной ячейке атомов поверхности является анализ угловых распределений десорбированных ионов и нейтралей в основном и возбужденном состояниях. Анизотропия угловых распределений изменяется в зависимости от температуры подложки и концентрации адсорбата, но, тем не менее, всегда сохраняется корреляция картин угловых распределений с симметрией адсорбционных мест на поверхности.
В большинстве экспериментов удается установить соответствие между направлением связи адсорбированных частиц в основном состоянии и углами вылета ионов с учетом соответствующих поправок на искажение траектории ионов вблизи поверхности вследствие влияния сил зеркального изображения и микрорельефа поверхности. В частности, такое соответствие было обнаружено для молекул воды и аммиака и ряда углеводородных молекул, а также для молекул СО на поверхности различных металлов.
В результате этих работ было показано, что направление связи одной и той же молекулы с поверхностью очень сильно зависит от структуры и химической природы подложки. Например, молекула СО может "стоять" на подложке, образуя с ней связь через атом углерода, (Ni (111), Ru (001), "наклонять" свою ось к плоскости подложки (Pd (210)) и даже "лежать" на поверхности подложки, взаимодействуя с ней через оба атома (Сr (110)). Такие полярные молекулы как NH3 и Н2О связываются во многих случаях с поверхностью через атомы N и О, соответственно, причем угол связи атомов водорода в молекулах заметно отличается для различных подложек по сравнению с углом в свободных молекулах.

Литература

1. Щукин Е. Д., Перцов А. В., Амелина Е. А. Коллоидная химия. – М.: Высшая школа, 2004.

2. Еловиков С. С. Разрушение поверхности твердого тела медленными электронами // СОЖ, 1999. – № 10. – С. 100.

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина