Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Параэлектрический эффект
Нелинейная зависимость поляризации диэлектрика от электрического поля, проявляющаяся в слабых полях

Описание

ФО насыщеннее и полнее! А количественные хар-ки? Условно-постоянные и условно-переменные и связи??

 

Нелинейная зависимость поляризации диэлектрика от электрического поля, проявляющаяся в слабых полях Диэлектрики – тела, плохо проводящие ток. В диэлектриках в отличие от проводников практически нет свободных зарядов, способных перемещаться на значительные расстояния по всему объему тела.
Диэлектрики состоят либо из нейтральных молекул (к такому типу диэлектриков относят все газовые диэлектрики, жидкие диэлектрики, а также часть твердых), либо из заряженных ионов, размещенных в узлах кристаллической решетки в определенных положениях равновесия. Ионные решетки могут быть разбиты на элементарные ячейки, каждая из которых содержит равное количество положительных и отрицательных зарядов и в целом нейтральна. Таким образом, в целом можно определить диэлектрик как вещество, построенное из нейтральных молекул, причем в случае ионной решетки под нейтральной молекулой следует понимать элементарную ячейку.
Под воздействием внешнего электрического поля заряды, входящие в состав диэлектрика не срываются полем со своих мест, образуя электрический ток, а лишь смещаются на незначительные расстояния в некоторые новые равновесные положения.
Поскольку равнодействующая электрических сил однородного электрического поля на нейтральную молекулу равна нулю, центр тяжести молекулы в этом поле остается неподвижным. Но в молекуле диэлектрика существуют частицы противоположных знаков, на них по отдельности действует электрическое поле, и они смещаются в противоположные стороны, вследствие этого молекула деформируется (поляризуются).
Существуют вещества с метастабильной электрической поляризацией, в которых внешним электрическим полем можно индуцировать поляризацию и которая будет сохраняться хотя бы частично после снятия внешнего поля (нелинейная зависимость). Широкая категория материалов с метастабильной поляризацией включает в себя как кристаллические, так и аморфные или стеклоподобные диэлектрики, поляризация которых может возникать вследствие вызванного электрическим полем выстраивания диполей в направлении поля или из-за захвата ионов и электронов локальными центрами в процессе электрической поляризации. К таким веществам относятся электреты, пьезоэлектрическая керамика, пьезоэлектрические полимеры (которые могут обладать пироэлектрическими и сегнетоэлектрическими свойствами), жидкие кристаллы, аморфные сегнетоэлектрические материалы, пьезокомпозиты, дипольные стекла и другие.
 Поляризация диэлектриков. 
В отсутствие внешнего электрического поля дипольные моменты молекул  диэлектрика или равны нулю (не­полярные молекулы), или распределены по направле­ниям в пространстве хаотическим образом   (полярные молекулы). В обоих случаях суммарный электрический момент диэлектрика равен нулю.
Под действием внешнего поля диэлектрик поляри­зуется. Это означает, что результирующий электриче­ский момент диэлектрика становится отличным от нуля. В качестве величины, характеризующей степень поля­ризации диэлектрика, естественно взять электрический момент единицы объема. Если поле или диэлектрик (или оба они) неоднородны, степень поляризации в раз­ных точках диэлектрика будет различна. Чтобы охарак­теризовать поляризацию в данной точке, нужно выде­лить заключающий в себе эту точку физически беско­нечно малый объем ΔV (физически бесконечно малым называют такой объем, кото­рый содержит достаточное для усреднения количество молекул и вместе с тем настолько мал, что макроскопические величины — плотность, температура, напряженность поля Е и т. д.— можно считать в его пределах постоянными), найти сумму pi  моментов, заключенных в этом объеме молекул, и взять отношение
Р =  pi  /  ΔV                                                       (1)
Величина Р, определяемая формулой (1), назы­вается вектором поляризации диэлектрика. Дипольный момент рi имеет размерность q[L]. Сле­довательно, размерность Р равна q[L]-2, т. е. совпадает с размерностью ε0Е .
У диэлектриков любого типа (кроме сегнетоэлектриков) вектор поляризации связан с напряженностью поля в той же точке простым соотношением
 Р = χ ε0 Е     ,                                                         (2)             

 

где χ — не зависящая от Е величина, называемая ди­электрической восприимчивостью диэлек­трика (Мы ограничимся рассмотрением лишь изо­тропных диэлектриков).  Размерность Р  и  ε0 Е, как мы видели, одина­кова. Следовательно, χ — безразмерная величина.
Для диэлектриков, построенных из неполярных мо­лекул, формула (2) вытекает из следующих простых соображений. В пределы объема ΔV попадает количе­ство молекул, равное  n ΔV, где n - число молекул в еди­нице объема. Таким образом,
pi  = n ΔV β ε0Е  .
Разделив это выражение на ΔV, получим вектор по­ляризации
Р = n β ε0Е.
Наконец, введя обозначение
χ = n β ,                                                                (3)
приходим к формуле (2).
       В случае диэлектриков, построенных из полярных молекул, ориентирующему действию внешнего поля про­тивится тепловое движение молекул, стремящееся раз­бросать их дипольные моменты по всем направлениям. В результате устанавливается некоторая преимущест­венная ориентация дипольных моментов молекул в на­правлении поля. Соответствующий статистический рас­чет показывает в согласии с опытом, что при неизмен­ной температуре вектор поляризации пропорционален напряженности поля, т. е. приводит к формуле (2). При постоянной напряженности поля вектор поляриза­ции диэлектриков, построенных из полярных молекул, уменьшается с повышением температуры. Диэлектриче­ская восприимчивость таких диэлектриков обратно про­порциональна абсолютной температуре,
В ионных кристаллах, как известно, отдельные мо­лекулы утрачивают свою обособленность. Весь кристалл представляет собой как бы одну гигантскую молекулу. Решетку ионного кристалла можно рассматривать как две вставленные друг, в друга решетки, одна из которых образована положительными, а другая отрицательными ионами. При действии на ионы кристалла внешнего поля обе решетки сдвигаются друг относительно друга, что приводит к поляризации диэлектрика. Вектор поляриза­ции и в этом случае связан с напряженностью поля соотношением (2).
Сегнетоэлектриками называются вещества, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего электрического поля. Это явление было открыто перво­начально для сегнетовой соли (так называют двойную калиево-натриевую соль винной кислоты  KNaC4Н4O6 ·4Н2О ), в связи с чем все подобные вещества получили название сегнетоэлектриков. Первое детальное исследование электриче­ских свойств сегнетовой соли было осуществлено советскими физиками И. В. Курчатовым и П. П. Кобеко.
В отсутствие внешнего электрического поля сегнетоэлектрики, как правило, имеют доменную структуру. Домены представляют собой макроскопические области, обладающие спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, которая возникает под действием внутренних процессов в диэлектрике. Направление электрических моментов у разных доменов различно. Поэтому суммарная поляризованность образца в целом может быть равна нулю. В принципе, если кристалл имеет малые размеры, то он может состоять из одного домена. Однако крупные образцы всегда разбиваются на множество доменов, поскольку однодоменное состояние энергетически невыгодно. Разбиение на домены уменьшает электростатическую энергию сегнетоэлектрика.
Внешнее электрическое поле изменяет направление  электрических моментов доменов, что создаёт эффект очень сильной поляризации. Этим объясняются свойственные сегнетоэлектрикам сверхвысокие значения диэлектрической проницаемости (до сотни тысяч). Доменная поляризация связана с процессами зарождения и роста новых доменов за счёт смещения доменных границ, которые в итоге вызывают переориентацию вектора спонтанной поляризованности в направлении внешнего электрического поля.
Следствием доменного строения сегнетоэлектриков является нелинейная зависимость их электрической индукции от напряженности электрического поля. Причём при воздействии слабого поля происходит обратимый процесс смещения доменных границ. В области более сильных полей смещение доменных границ носит необратимый характер. При этом разрастаются домены с преимущественной ориентацией, у которых вектор спонтанной поляризации образует наименьший угол с направлением поля. При некоторой напряженности поля все домены оказываются ориентированными по полю. Наступает состояние технического насыщения.
Если в поляризованном до насыщения образце уменьшить напряженность поля до нуля, то индукция в ноль не обратится. При воздействии полем противоположного знака индукция быстро уменьшается и при некоторой напряженности поля изменяет своё направление. Дальнейшее увеличение напряженности поля вновь приводит образец в состояние технического насыщения. Это значит, что переполяризация сегнетоэлектрика  в переменных полях сопровождается диэлектрическим гистерезисом.
Диэлектрический гистерезис обусловлен необратимым смещением доменных границ под действием поля и свидетельствует о дополнительном механизме диэлектрических потерь, связанных с затратой энергии на ориентацию доменов. Площадь гистерезисной петли прямо пропорциональна энергии, рассеиваемой в диэлектрике за один период.
Совокупность вершин петель, полученных при различных значениях амплитуды переменного поля, образует основную кривую поляризации сегнетоэлектрика.
Нелинейность поляризации по отношению к полю, и наличие гистерезиса обусловливают зависимость диэлектрической проницаемости и ёмкости сегнетоэлектрического конденсатора от режима работы. Для характеристики свойств материала в различных условиях работы нелинейного элемента используют понятия статистической, реверсивной, эффективной и других диэлектрических проницаемостей.
Сегнетоэлектрики отличаются от остальных диэлектриков рядом ха­рактерных особенностей:

1. В то время, как у обычных ди­электриков ε составляет несколько единиц, достигая в виде исключе­ния нескольких десятков (у воды, например, ε = 81), диэлектриче­ская проницаемость сегнетоэлектриков бывает порядка нескольких тысяч.

2. Зависимость D от Е не является линейной, следова­тельно, диэлектрическая проницаемость оказывается зави­сящей от напряженности  поля (ветвь 1 на кривой рис. 1).

График зависимости P от Е

Рисунок 1
 
3. При изменениях поля значения вектора поляриза­ции Р (а, следовательно, и D) отстают от напряженно­сти поля Е, в результате чего Р и D определяются не только величиной Е в данный момент, но и предше­ствующими значениями Е, т. е. зависят от предыстории диэлектрика. Это явление называется гистерезисом (от греческого «гистерезис» - запаздывание). При цик­лических изменениях поля зависимость Р от Е следует изображенной на рис. 1 кривой, называемой петлей гистерезиса. При первоначальном включении поля поляризация растет с Е в соответствии с ветвью кри­вой 1. Уменьшение Р происходит по ветви 2. При обра­щении Е в нуль вещество сохраняет значение поляриза­ции Рr , называемое остаточной поляризацией. Только под действием противоположно направленного поля напряженности Eс поляризация становится равной  нулю. Это значение напряженности поля называется коэрцитивной силой. При дальнейшем измене­нии Е получается ветвь 3 петли гистерезиса и т. д.
Поведение поляризации сегнетоэлектриков аналогич­но поведению намагничивания ферромагнетиков. По этой причине сегнетоэлектрики еще называют ферроэлектриками. Сегнетоэлектриками могут быть только кристаллические вещества, причем такие, у которых отсутствует центр симметрии. Так, например, кристаллы сегнетовой соли принадлежат к ромбической системе. Взаимодействие частиц в кри­сталле сегнетоэлектрика приводит к тому, что их дипольные моменты спонтанно устанавливаются парал­лельно друг другу. В исключительных случаях одинако­вая ориентация дипольных моментов распространяется на весь кристалл. Обычно же кристалл распадается на области, в пределах каждой из которых дипольные мо­менты параллельны друг другу, однако направления поляризации разных областей бывают различными, так что результирующий момент всего кристалла может быть равен нулю. Области спонтанной  поляризации называются также доменами. Под дей­ствием внешнего поля моменты доменов поворачиваются как целое, устанавливаясь по направлению поля.
Для каждого сегнетоэлектрика имеется температура, выше которой вещество утрачивает необычные свойства и становится нормальным диэлектриком. Эта темпера­тура называется точкой Кюри. Сегнетова соль имеет две точки Кюри: при — 15°С и +22,5°С, причем она ведет себя как сегнетоэлектрик лишь в температурном интервале, ограниченном указанными значениями. При температуре ниже —15°С и выше +22,5°С электриче­ские свойства сегнетовой соли обычны.
Очень важное практическое значение имеет откры­тый советским физиком Б. М. Вулом и его сотрудни­ками сегнетоэлектрик- метатитанат бария (ВаТiO2), точка Кюри которого равна 125°С.

Прямой и обратный пьезоэлектрический эффект. Некоторые кристаллы, не имеющие центра симметрии (в том числе все сегнетоэлектрики), при деформации поляризуются. Это явление называется прямым пье­зоэлектрическим эффектом или просто пьезоэлектрическим эффектом. Величина поляризации про­порциональна деформации, а, следовательно, в пределах упругости и механическому напряжению. При изменении знака деформации знак поляризации меняется также на обратный.

Важнейшими пьезоэлектриками (т.е. пьезоэлектри­ческими кристаллами) являются кварц, сегнетова соль, метатитанат бария и др.

Кристаллы кварца принадлежат к гексагональной си­стеме. Если вырезать из кристалла кварца пластинку, перпендикулярную к кри­сталлографической оси а, и под­вергнуть ее сжатию вдоль этой оси, то на гранях пластинки появляются связанные заряды (на рис. 2 пластинка распо­ложена так, что кристал­лографическая ось с на­правлена на нас). То же самое происходит, если пластинку подвергнуть растяжению вдоль оси 00, перпендикулярной к кристал­лографическим направлениям а и с. В последнем случае эффект называют поперечным, в первом случае- про­дольным. При изменении знака деформации (т. е. при рас­тяжении вдоль а или сжатии вдоль 00) на гранях пла­стинки появляются связанные заряды другого знака. Для практического использования пьезоэлектрического эф­фекта на грани пластинки накладывают металлические обкладки. Если эти обкладки включить в замкнутую цепь, то при изменениях деформации кристалла в цепи будут возникать импульсы тока. Такие процессы протекают, например, в пьезоэлектрическом микрофоне- знакопе­ременная деформация пластинки под действием звуко­вой волны преобразуется в переменный ток той же частоты.

Пример пластинки

Рисунок 2
  Пьезоэлектрический эффект имеет следующее объяс­нение. Решетку всякого кристалла можно представить в виде нескольких образованных разными атомами или группами атомов более простых решеток, вставленных друг в друга. Если кристалл не имеет центра симметрии, то при деформации происходит сдвиг простых решеток друг относительно друга, который может вызвать появ­ление у кристалла электрического момента.
Наряду с описанным выше прямым эффектом, у пье­зоэлектрических кристаллов наблюдается обратный эффект, заключающийся в том, что поляризация под действием электрического поля сопровождается механи­ческими деформациями кристалла. Таким образом, если на металлические обкладки изображенной на рис. 2 пластинки подать переменное электрическое напряже­ние, то пластинка будет попеременно растягиваться и сжиматься вдоль оси а (одновременно происходят сжа­тие и растяжение вдоль оси 00), т. е. в ней возбудятся механические колебания. Эти колебания станут особен­но интенсивными, если частота переменного напряжения совпадает с собственной (резонансной) частотой пла­стинки.
Такие настроенные в резонанс пьезоэлектрические пластинки используются для возбуждения ультразвуко­вых волн, для стабилизации частоты ге­нераторов электрических колебаний в радиотехнике и т. п.
Обратный пьезоэлектрический эффект следует отли­чать от электрострикции, которая имеет место во всех диэлектриках—твердых, жидких и газообразных. Пьезоэлектрический эффект возникает только в некото­рых кристаллах. Далее, деформация при электрострик­ции зависит от поля квадратично и при изменении на­правления поля знака не меняет. Пьезоэлектрический эффект зависит от поля линейно и при изменении на­правления поля меняет знак.

 

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Используется в научно-технических эффектах

Органический фотоэлектрический преобразователь (Органический фотоэлектрический преобразователь)

 

Используется в областях техники и экономики

1Бытовая техника
1Узлы, детали и элементы радиоэлектронной аппаратуры
1Устройства для записи и воспроизведения сигналов и информации
1Телевизионная техника
1Молекулярная электроника
1Квантовая электроника
1Оптоэлектронная техника
1Полупроводниковые приборы и микроэлектроника
1Производство материалов для электроники и радиотехники
1Электрические аппараты
1Электрические машины
1Энергетическое машиностроение
1Нетрадиционная энергетика
1Гелиоэнергетика

 

Используются в научно-технических эффектах совместно с данным эффектом естественнонаучные эффекты

1Резкое возрастание электрического тока при малом изменении приложенного к полупроводнику напряжения (Пробой в полупроводниках)
1Изменение проводимости полупроводника при наложении электрического поля, перпендикулярного его поверхности (Поля эффект)
1Нелинейная зависимость поляризации диэлектрика от электрического поля, проявляющаяся в слабых полях (Параэлектрический эффект)
1Нормальные колебания молекул (Собственные (свободные) гармонические колебания молекул)
1Туннельный эффект в полупроводниках; туннельный диод (Туннельный эффект в полупроводниках; туннельный диод)

 

Применение эффекта

По сравнению с магнитострикционными и пьезоэлектрическими управляющими приводами электрострикционные устройства выгодно отличаются малым электромеханическим гистерезисом, отсутствием старения, экономичностью и безынерционностью и могут применяться для создания различных исполнительных устройств и механизмов, используемых в адаптивной оптике, точной механике и электронике.

Реализации эффекта

В настоящее время электрострикционная сегнетокерамика в основном применяется в исполнительных механизмах для создания точных перемещений. Такого типа приводы обеспечивают стабильное перемещение до 80 мкм при управляющем напряжении до 800 В.

Литература

1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учеб. для студ. вузов – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1986. Стр. 262.

2. Савельев И.В. Курс общей физики, том II. Электричество –М.: «Наука», Главная редакция физматлитературы, 1970. -стр. 52-70, 77-80.

3. Сивухин Д.В. Общий курс физики. Т. III . Электричество. –М.: Наука, 1979.–стр. 162-173.

4. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. М.: Радио и связь, 1989.

5. Барфут Дж., Тэйлор Дж. Полярные диэлектрики. М.: Мир, 1981.

6. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные материалы. М.: Мир, 1981.

7. Струков Б.А. Сегнетоэлектричество. М.: Наука, 1979

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина