Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Ионизация газа полем (автоионизация)
Ионизация атомов и молекул газа в сильных электрических полях

Описание

Автоионизацией (ионизацией полем) называется процесс ионизации атомов и молекул газа в сильных электрических полях.
Связанный электрон в атоме можно представить находящимся в потенциальной яме (рис. 1). При включении электрического поля напряженностью E к потенциальной энергии электрона V0(x), находящегося в точке x, добавляется потенциальная энергия eEx, где e абсолютная величина заряда электрона. Вследствие этого потенциальная яма становится ассиметричной (рис. 2) – с одной ее стороны образуется потенциальный барьер конечной ширины, сквозь который электрон может «просочиться», т.е. может иметь место туннельный эффект и будет возможна ионизация атома.
 
Схематическое изображение электрона в потенциальной яме V0(x), внешнее электрическое поле равно нулю E=0.

Рис. 1
Схематическое изображение электрона в асимметричной потенциальной яме V(x) = V0(x)+eEx, E полная энергия электрона
Рис. 2
Вероятность W(V, E) туннелирования электрона сквозь потенциальный барьер определяется формулой:

,

где V(x) = V0(x)+eEx и E потенциальная и полная энергия электрона соответственно, его масса, h постоянная Планка. Вероятность туннелирования W(V,E) резко увеличивается при уменьшении площади барьера под прямой x1x2. Это происходит при увеличении напряженности поля E или при повышении энергии E электрона в атоме какими-либо другими способами (например, при туннелировании электрона с возбужденных уровней). Так, вероятность автоионизации атома водорода из основного состояния достигает заметной величины лишь при  E ~ 108  B/см , а из возбужденных состояний уже при E ~ 106 В/см.
Наиболее полно автоионизация исследована вблизи поверхности металла, так как она используется в автоионном микроскопе для получения увеличенного изображения поверхности.
Рассмотрим электрон вблизи поверхности металла. Из-за большой электропроводности металла его поверхность эквипотенциальна, силовые линии электрического поля перпендикулярны к ней. Поэтому электрон с зарядом -e, находящийся на расстоянии x от поверхности, взаимодействует с ней так, как если бы он индуцировал в металле на глубине -x свое «электрическое изображение», то есть заряд e.
Благодаря силе «изображения», действующей со стороны металла на электрон в атоме, который находится вблизи поверхности металла, потенциальный барьер понижается, и вероятность автоионизации атома возрастает. Однако автоионизация возможна лишь в том случае, когда расстояние атома от поверхности превышает некоторое критическое расстояние xкр. Это связано с тем, что при обычных температурах для осуществления туннельного перехода электрона в металл необходимо, чтобы основной уровень энергии электрона в атоме был поднят электрическим полем хотя бы до уровня Ферми в металле. Если атом приблизится к поверхности на x < xкр, то уровень энергии электрона в атоме окажется ниже уровня Ферми в металле и вероятность туннелирования резко уменьшится. С другой стороны, удаление атома от поверхности металла при x > xкр также приводит к резкому уменьшению вероятности туннелирования. Поэтому практически автоионизация в данном случае имеет место в пределах некоторой окрестности точки xкр. В рабочем режиме автоионного микроскопа полуширина этой зоны составляет .
Главным условием, необходимым для наблюдения эффекта, является создание достаточно сильного поля E > 106 В/см. Такое поле можно создать вблизи (на расстоянии 25 нм от поверхности) проводящего острия, при достаточно малой кривизне его поверхности (100 – 1000 ).

 

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Используется в научно-технических эффектах

Генератор отрицательно заряженных ионов кислорода (Ионизатор воздуха)
Рентгеновский лазер (Рентгеновский лазер)
Электроразрядный газовый лазер (Электроразрядный лазер)
Газовый счетчик, применяемый для обнаружения и исследования радиоактивных и других ионизирующих излучений. (Счетчик Гейгера-Мюллера)

 

Используется в областях техники и экономики

1Медицинская техника
1СВЧ-техника
2Оптическая техника
3Квантовая электроника
1Инфракрасная техника
1Вакуумная техника
1Приборы для измерения ионизирующих излучений
1Технологии и средства радиационной защиты
1Радиоизотопные приборы и установки
1Молекулярная электроника
1Электровакуумные и газоразрядные приборы и устройства
1Атомная энергетика

 

Используются в научно-технических эффектах совместно с данным эффектом естественнонаучные эффекты

2Испускание электронов проводящими твердыми и жидкими телами под действием внешнего электрического поля (Автоэлектронная эмиссия)
4Ионизация атомов и молекул газа в сильных электрических полях (Ионизация газа полем (автоионизация))
1Накопление и распределение зарядов в грозовой туче (Накопление и распределение зарядов в грозовой туче)
2Поляризация электромагнитных волн (Поляризация электромагнитных волн )
2Нормальные колебания молекул (Собственные (свободные) гармонические колебания молекул)
2Нелинейная оптическая поляризация среды (Нелинейная оптическая поляризация среды)
2Вынужденное излучение (Вынужденное излучение)
1Энергетические уровни для заряженной частицы в магнитном поле (Уровни Ландау)
1Проникновение частицы сквозь потенциальный барьер, превышающий её энергию (Туннельный эффект)
1Импульс электромагнитного поля (Импульс электромагнитного поля)
1Уравнение состояния идеального газа (Клапейрона-Менделеева уравнение)
1Адиабатический процесс (Адиабатический процесс)
1Надпороговая ионизация атомов (Надпороговая ионизация атомов)
1Ионизация атомов в столкновении с ионами (Ионизация атомов в столкновении с ионами)

 

Применение эффекта

Пример использования в технике – автоионный микроскоп (ионный проектор, полевой ионный микроскоп). Автоионный микроскоп – это безлинзовый ионно-оптический прибор для получения увеличенного в несколько миллионов раз изображения поверхности твердого тела. Автоионный микроскоп дает возможность наблюдать расположение отдельных атомов в кристаллической решетке (рис.1).
Изображение поверхности вольфрамового острия радиусом 95 при увеличении в 10раз в гелий-неоновом проекторе при температуре 22 К
Рис. 1
 Явление автоионизации используется также при создании ионных источников для масс-спектрометров. Достоинством таких источников является отсутствие в них накаленных электродов, а также то, что в них удается избежать диссоциации исследуемых молекул. Кроме того, с помощью таких ионных источников можно наблюдать специфические химические реакции, происходящие лишь в сильных электрических полях.

Реализации эффекта

На рис.1 изображена принципиальная схема автоионного микроскопа. Положительным электродом и одновременно исследуемым объектом, увеличенная поверхность которого изображается на экране, служит остриё тонкой проводящей иглы.
Принципиальная схема автоионного микроскопа. 1 – жидкий водород, 2 – жидкий азот, 3 – остриё из исследуемого материала, 4 – проводящее кольцо, 5 – экран, 6 – подсоединение к насосу
Рис.1
Атомы (или молекулы) газа, заполняющего внутренний объем прибора, ионизуются в сильном электрическом поле вблизи поверхности острия, отдавая ему свои электроны. Возникшие положительные ионы приобретают под действием поля радиальное ускорение, устремляются к флуоресцирующему экрану (потенциал которого отрицателен) и бомбардируют его. Свечение каждого элемента экрана пропорционально плотности находящего на него ионного тока. Поэтому распределение свечения на экране воспроизводит (в увеличенном масштабе) распределение плотности возникновения ионов вблизи острия, отражающее структуру поверхности объекта. Масштаб увеличения приблизительно равен отношению радиуса экрана к радиусу кривизны острия.
Вблизи острия электрическое поле неоднородно – над ступеньками кристаллической решетки или над отдельными выступающими атомами его локальная напряженность увеличивается: на таких участках вероятность полевой ионизации выше и количество ионов, образующихся в единицу времени, больше. На экране эти участки отображаются в виде ярких точек. Иными словами, образование контрастного изображения поверхности определяется наличием у нее локального микрорельефа. Другим фактором, влияющим на контраст, является электронная природа атома; так, например, в сплаве Co и Pt более элекроотрицательные атомы Pt отображаются как яркие точки, а находящиеся рядом атомы Co не видны. Ионный ток и, следовательно, яркость и контрастность изображения растут с повышением давления газа, которое в автоионном микроскопе, однако, обычно не превышает 10-3 мм рт. ст. Разрешающая способность автоионного микроскопа находится в обратной зависимости от тангенциальной составляющей скорости иона, поэтому остриё обычно охлаждают (до 478 К).

Литература

1. Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. А. М. Прохоров; Ред. кол.: Алексеев Д. М., Бонч-Бруевич А. М., Боровик-Романов А. С. и др. – М.: Сов. энциклопедия, 1984. – 944с.

2. Э. Г. Калашников. Электричество. Издательство «Наука», Москва, 1977 год. Стр.156-157.

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина