Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Образование ферромагнитных доменов.
Ферромагнетизм. Образование ферромагнитных доменов. Обменное взаимодействие. Геометрия доменов.

Анимация

Описание

Магнетики, магнитная проницаемость которых достигает больших значений и зависит от внешнего магнитного поля и предшествующей истории, называются ферромагнетиками. Они обладают остаточной намагниченностью, т.е. их намагниченность может быть отличной от нуля в отсутствии внешнего магнитного поля. Намагниченность ферромагнетика не увеличивается безгранично при увеличении напряженности, а имеет предел, называемый намагниченностью насыщения. Если производить перемагничивание образца в периодическом магнитном поле, то кривая зависимости В(Н) имеет вид петли, называемой петлей гистерезиса (рис.1).
Петля гистерезиса
 
Рис.1
Кривая ОА является кривой намагничивания. Замкнутая кривая ACDFGKA является петлей гистерезиса.
Ферромагнетизм может быть рассмотрен только в рамках квантовой теории. В рамках классической теории можно лишь описать его свойства и обсудить качественно механизм его возникновения. В опытах Эйнштейна и де Гааз было экспериментально установлено, что ферромагнетизм обусловлен спинами электронов. Ферромагнетики обладают свойством спонтанной намагниченности. Однако образцу в целом быть намагниченным энергетически невыгодно. Поэтому он разбивается на малые намагниченные области – домены. Каждый домен намагничен в определенном направлении, но направление вектора намагниченности в соседних доменах различно. Появление доменов связано с обменным взаимодействием. Вследствие того, что электроны подчиняются статистике Ферми-Дирака, которая не допускает нахождения двух частиц в одном состоянии, электроны с параллельными спинами оказываются как бы раздвинутыми в пространстве, благодаря чему уменьшается энергия их кулоновского взаимодействия по сравнению с электронами с антипараллельными спинами, когда они могут располагаться в пространстве более тесно. Энергией обменного взаимодействия называется разность энергий между конфигурациями с параллельными и антипараллельными спинами.

 

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Применение эффекта

Теория кривых намагничивания и петель гистерезиса важна для разработки новых и улучшения существующих магнитных материалов.
Связь ферромагнетизма с многими немагнитными свойствами вещества позволяет по данным измерений магнитных свойств получить информацию о различных тонких специфических особенностях электронной структуры кристаллов. Поэтому ферромагнетизм интенсивно исследуют на электронном и ядерном уровнях, применяя электронный ферромагнитный резонанс, ядерный магнитный резонанс, рассеяние на ферромагнитных кристаллах различного типа корпускулярных излучений (с учётом влияния магнитных моментов взаимодействующих частиц) и та далее. Впоследствии возникли интересные контакты ферромагнетизма с физикой элементарных частиц и астрофизикой. Здесь следует упомянуть об изучении в ферромагнетиках явлений аннигиляции позитронов, образования мюония и позитрония, рассеяния мюонов, а в астрофизике - о проблеме магнетизма нейтронных звёзд.
Линейные размеры доменов составляют 10-2 – 10-5 см. Переходный слой, разделяющий два домена, намагниченные в противоположных направлениях, называются «стенкой Блоха». В пределах такого слоя происходит постепенное изменение ориентации спинов; плавность перехода от одного направления магнитного момента к противоположному обеспечивает меньшую удельную энергию доменных границ. Толщина « стенок Блоха» может составлять несколько сот межатомных расстояний.

 

 

Реализации эффекта

Экспериментально показано, что особые свойства ферромагнетиков обусловлены их доменным строением. Домены представляют собой макроскопические объекты, намагниченные практически до насыщения даже в отсутствии внешнего магнитного поля. Спонтанная намагниченность доменов обусловлена параллельной ориентацией магнитных моментов атомов. Как правило, отличным от нуля магнитным моментом обладают те атомы и ионы, которые в своих электронных оболочках имеют нескомпенсированные спины. Например, атомы железа на внутренней 3d-оболочке имеют четыре нескомпенсированных спина. Объяснение причин спонтанной намагниченности ферромагнетиков сводится к рассмотрению природы сил, вызывающих спиновую магнитную проницаемость.
Геометрия доменных структур ферромагнетиков, то есть характер разбиения его на домены, также определяется из условия минимума свободной энергии системы. Однодоменное состояние энергетически невыгодно, так как в этом случае на концах ферромагнетика возникают магнитные полюса, создающие внешнее магнитное поле, которое обладает определённой потенциальной энергией. Однодоменную структуру можно рассматривать как совокупность нескольких магнитов, соприкасающихся одноимёнными полюсами. Если кристалл состоит из двух доменов с противоположной ориентацией магнитных моментов, то он обладает существенно меньшей магнитостатической энергией. Ещё более выгодной является структура с боковыми, замыкающими доменами. В этом случае магнитный поток замыкается внутри образца, а за его пределами магнитное поле практически равно нулю.
Деление на домены ограничивается увеличением энергии доменных границ. Для образования доменной границы необходимо совершить работу против обменных сил, которые стремятся вызвать параллельную ориентацию спиновых моментов, и сил магнитной кристаллографической анизотропии. Наиболее устойчивыми является такое состояние ферромагнетика, в котором уменьшение магнитостатической энергии вследствие разбиения на домены компенсируется значением энергии доменных границ. Кристаллы малых размеров могут состоять из одного домена (образование границы энергетически невыгодно). Иллюстрацией этому служит намагничивание опилок при обработке ферромагнитных материалов.

Литература

1. Физическая энциклопедия / гл.ред. Прохоров А.М. - М.: Большая российская энциклопедия. 1994.

2. Пасынков В.В., Сорокин В.С.Материалы электронной техники: Учеб. Для студ. Вузов по спец. «полупроводники и диэлектрики», «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1986. Стр. 300.

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина