Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Антисегнетоэлектричество

Описание

*****
Антисегнетоэлектрики - термин, обозначающий обычно диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие определенной спецификой электрических свойств. Основной признак антисегнетоэлектрика - наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией диэлектрической проницаемости. Температура перехода обычно сильно зависит от электрического поля, так что переход может осуществляться при наложении электрического поля, а не за счет изменения температуры кристалла. Так как переход в антисегнетоэлектрик, как правило, является переходом первого рода, то наблюдается скачкообразное изменение поляризации Р при изменении поля Е, а в целом зависимость Р(Е) имеет вид так называемой двойной петли гистерезиса . Типичными антисегнетоэлектриком являются PbZrO3, NH4H2PO4, NaNbO3, WO3.
 

 

Ключевые слова

 

Разделы наук

 

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина