Антисегентоэлектричество - совокупность физических свойств, характерных для группы диэлектриков, называемых  антисегнетоэлектриками. Антисегнетоэлектрики - термин, обозначающий обычно диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие определенной спецификой электрических свойств. Если сегнетоэлектрики можно рассматривать как совокупность параллельно ориентированных диполей, то антисегнетоэлектрики можно рассматривать как вещества с антипараллельным расположением диполей.

Основной признак антисегнетоэлектрика - наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией диэлектрической проницаемости (Рисунок 1). При наложении достаточно сильного электрического поля антисегнетоэлектрики могут перейти в сегнетоэлектрическое состояние. При таком "вынужденом" фазовом переходе в сильном переменном поле наблюдаются двойные петли гистерезиса из-за перестройки кристаллической структуры .

Температура перехода обычно сильно зависит от электрического поля, так что переход может осуществляться при наложении поля, а не за счет изменения температуры кристалла. Так как переход в антисегнетоэлектрик, как правило, является переходом первого рода (при фазовом переходе первого рода скачкообразно изменяются самые главные, первичные экстенсивные параметры: удельный объём (т.е. плотность), количество запасённой внутренней энергии, концентрация компонентов и т. п. Подчеркнём: имеется в виду скачкообразное изменение этих величин при изменении температуры, давления и т. п., а не скачкообразное изменение во времени), т.е наблюдается скачкообразное изменение поляризации Р при изменении поля Е, в целом зависимость Р(Е) имеет вид как на Рисунке 2, называемый двойной петлей гистерезиса.

 

Типичными антисегнетоэлектриком являются PbZrO_3, NH₄H₂PO₄, NaNbO₃, WO₃.