Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов
Термоэлектрические явления

Полное название / (Краткое название)
Объемное выделение или поглощение тепла в полупроводнике при совместном действии электрического тока и градиента температуры (Томсона эффект в полупроводниках)
Выделение или поглощение (в зависимости от направления тока) тепла на контакте двух разнородных полупроводников или металла и полупроводника (Пельтье эффект в полупроводниках)
Появление электрических зарядов на поверхности некоторых кристаллов (пироэлектриков) при их нагревании или охлаждении (Пироэлектрический эффект)
Выделение или поглощение тепла на контакте двух разнородных проводников в зависимости от направления электрического тока, текущего через контакт (Пельтье эффект в металлах)
Люминесценция, возникающая при нагревании вещества, предварительно возбуждённого оптическим или ионизирующим излучением (Термолюминесценция)
Возникновение эдс (термоэдс) в электрической цепи, состоящей из последовательно соединенных разнородных проводников, контакты между которыми находятся при разных температурах (Зеебека эффект)
Испускание электронов проводящими твердыми и жидкими телами под действием внешнего электрического поля (Автоэлектронная эмиссия)
Возникновение электрического тока из эмиттера при переходе материала эмиттера из конденсированной фазы в плотную фазу (Взрывная электронная эмиссия)
Изменение температуры кристалла во внешнем электрическом поле (Электрокалорический эффект)
Зеебека эффект в сверхпроводниках (Зеебека эффект в сверхпроводниках)
Появление в проводнике с током, находящемся в магнитном поле, градиента температуры (Нернста эффект)
Появление электрического поля в проводнике, с градиентом температуры, в направлении, перпендикулярном магнитному полю (Нернста-Эттингсхаузена эффект)
Возникновение поперечного градиента температуры в проводнике с током, помещенном в магнитное поле (Эттингсхаузена эффект)
Зависимость коэффициента термоэдс от магнитного поля в вырожденных полупроводниках при низких температурах в квантующих магнитных полях (Осцилляции термоэдс)
Резкое возрастание электрического тока при малом изменении приложенного к полупроводнику напряжения (Пробой в полупроводниках)
Поверхностная ионизация (Поверхностная ионизация)
Возникновение светящейся области на аноде при электрических разрядах в газах (Анодное свечение)
Испускание ионов твердым телом при облучении электронами (Электронно-ионная эмиссия)
Испускание ионов поверхностью твердого тела (Ионная эмиссия)
Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина