Межотраслевая Интернет-система поиска и синтеза физических принципов действия преобразователей энергии

Стартовая страница

О системе

Технические требования

Синтез

Обучающий модуль

Справка по системе

Контакты
Искать:
  Расширенный   Формализованый   По связи разделов
 А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я 
Общий каталог эффектов

Оже-спектроскопия
Оже-спектроскопия

Анимация

Описание

Оже спектроскопия (Оже-электронная спектроскопия) - метод диагностики элементного состава веществ, основанный на эффекте Оже
Исследуемое вещество подвергают действию излучения с высокой энергией квантов, либо электронного пучка с высокой энергией электронов. Для существенной вероятности эффекта Оже энергия квантов излучения или электронов пучка должна превышать 1 кэВ. Атом ионизуется, причем из-за высокой энергии ионизирующих частиц атом теряет не слабо связанный электрон с внешней оболочки, а один из электронов внутренней оболочки. Образовавшаяся вакансия E1 через короткое время заменяется электроном с одного из вышестоящих энергетических уровней E2, а разность энергии между уровнями может быть передана другому электрону с энергией связи Eс<(E2-E1), и тот уйдет из атома - произойдет ионизация.
Спектр Оже-электронов - дискретный, поскольку кинетическая энергия Ek вышедшего из атома электрона равна:
Ek=E2-E1-Ec
Уровни энергии атома - дискретные. Каждому атому соответствует свой набор дискретных значений Ek энергий Оже-электронов,  и по присутствию таких линий в Оже-спектре некоторого вещества можно сделать вывод о том, что в составе вещества есть атомы данного сорта.
Для регистрации энергетического спектра электронов применяют дисперсионные электростатические энергоанализаторы (с цилиндрическими или полусферическими электродами), которые обеспечивают высокое энергетическое разрешение E/E ~ 0,05%. Для детектирования электронов служат электронные умножители (в частности, каналтроны), имеющие высокую эффективность счета низкоэнергетических электронов при малом уровне фона. Оже-спектрометры дают возможность получать распределение электронов по энергии (то есть, собственно спектр) N(E) от энергии E, а также производную dN(E)/dE в завсимости от E.
По спектрам оже-электронов можно проводить качественный и количественный элементный анализ пробы. Для этого пользуются зависимостью dN(E)/dE в от E, которая обеспечивают более высокую чувствительность и точность анализа, чем зависимость N(E) от E (Рис. 1).
Оже-спектр поверхности графита, содержащий линии, характерные для углерода.
Оже-электронный спектр
Рис. 1
Кроме того, форма оже-пиков в спектре чувствительна к химическому состоянию атомов, что наиболее четко проявляется в случае переходов с участием электронов валентной зоны (Рис. 2).
 Линии перехода атомов углерода в спектрах графита и алмаза.

Линии атомов углерода в Оже-спектрах графита и алмаза

Рис. 2
Концентрацию элемента в пробе можно оценить по интенсивности его пика в оже-спектре. Для этого обычно применяют метод внешнего стандарта (эталона) или безэталонный метод. В первом случае интенсивность Ji пика i-го элемента в оже-спектре пробы сравнивают с интенсивностью Jэт,i соответствующего пика в оже-спектре стандартного образца или с интенсивностью Jэт,Ag пика оже-спектра чистого серебра. Концентрацию Ci i-гo элемента рассчитывают по формулам: Ci=Ji / Jэт,i  или Ci=Ji/(ai-Ag Jэт,Ag) , где ai-Ag - фактор элементной чувствительности. В безэталонном методе расчет ведут по формуле:
Формула для безэталонного метода
Здесь Ij-интенсивность пика j-го элемента в оже-спектре пробы. Суммирование ведется по всем j, не равным i. Погрешность анализа рассмотренными методами составляет 10-15%.

 

Ключевые слова

 

Области техники и экономики

 

Применение эффекта

Традиционные области применения ОЭС - изучение процессов адсорбции и десорбции на поверхностях твердых тел, коррозии, явлений, происходящих при поверхностном гетерогенном катализе, контроль за чистотой поверхности в различных технологических процессах.
С появлением сканирующих оже-спектрометров ОЭС широо используется и в микроэлектронике, в том числе для выявления причин отказа различных элементов микросхем.
Оже-электронная спектроскопия дает нам информацию об элементном составе участка поверхности тела, размеры которого в первом приближении определяются размерами самого электронного зонда (пучка облучающих электронов). Перемещая электронный зонд по поверхности, можно получить данные о распределении элементов на ней в разных точках. В оже-спектрометрах первого поколения диаметр электронного пучка составлял десятые (в лучшем случае сотые) доли миллиметра. Поэтому и пространственное разрешение было того же порядка.
В настоящее время выпускаются так называемые сканирующие оже-спектрометры, в которых два прибора объединены вместе. Основой такого комплекса является сканирующий (растровый) электронный микроскоп (РЭМ), в котором электронный пучок очень малого диаметра (несколько нанометров) передвигается в двух перпендикулярных направлениях, засвечивая определенный участок поверхности (точно так же, как в обычной телевизионной трубке). Величина возникающего при этом тока вторичных электронов зависит от различных свойств поверхности. Таким образом, в каждый момент времени вторичные электроны несут информацию с участка, определяемого размерами электронного пучка. Визуализация картины осуществляется с помощью электронно-лучевой трубки (подобной телевизионной), в которой синхронно с электронным зондом движется свой электронный пучок. Если сигнал, пропорциональный току вторичных электронов, подать на модулирующий электрод электронной пушки трубки, то на экране мы увидим изображение поверхности в так называемом режиме вторичных электронов. Такой прибор позволяет получить картину, отражающую эмиссионные свойства. При этом сказать что-либо об элементном составе оказывается непростой задачей.
Если наряду с коллектором, служащим для сбора вторичных электронов, установить энергоанализатор, то получится прибор, на котором можно получать изображение поверхности не только во вторичных электронах, но и в оже-электронах. Для этого энергоанализатор необходимо настроить на энергию интересующих нас оже-электронов, а на экране мы увидим распределение соответствующего элемента на поверхности. Если мы хотим получить информацию о распределении всех примесей, надо поочередно настраиваться на другие энергии оже-электронов. На рис. 7 приведено упрощенное схематическое изображение такого комбайна.
Существенным отличием сканирующего оже-спектрометра от обычного РЭМа является конструкция вакуумной системы, позволяющая достигать давлений р < 10-8 Па (в обычных РЭМах р ~ 10-3 –10-4 Па). Такой сверхвысокий вакуум необходим по той причине, что глубина выхода оже-электронов составляет (0,5–1) нм и любые загрязнения, в том числе и адсорбированные из остаточной атмосферы аналитической камеры частицы, приводят к сильному искажению результатов.
Схематическое изображение растрового оже-спектрометра: 1 – образец, 2 – коллектор для сбора вторичных электронов, 3 – энергоанализатор, 4 – детектор энергоанализатора, 5 – электронно-лучевая трубка, 6 – катод электронной пушки, 7 – модулятор электронной пушки, 8 – отклоняющие пластины электронно-лучевой трубки, служащие для получения растра, 9 – экран электронно-лучевой трубки.
Схема растрового Оже-спектрометра
Рис. 1.

 

Реализации эффекта

В промышленности для анализа веществ методом Оже-спектроскопии используется специальный прибор - оже-спектрометр. Он включает в себя источник ионизирующего излучения, камеру для размещения исследуемых образцов, энергоанализатор и детектор электронов. В качестве ионизирующего излучения используют электронные пучки с энергией от 3 до 10 кэВ, а в приборах с пространственным разрешением менее 0,1 мкм - с энергией выше 10 кэВ. Для измерения кинетической энергии электронов применяют дисперсионные электростатические энергоанализаторы. Для детектирования электронов служат электронные умножители.
Толщина анализируемого слоя поверхности твердого тела определяется глубиной выхода оже-электронов, которая зависит от их энергии и, например, для разных металлов составляет 0,5-2,0 нм. В связи с малой глубиной выхода оже-электронов, загрязнение исследуемой поверхности адсорбированными атомами вносит существенную погрешность в результаты анализа. Поэтому в спектрометрах создают глубокий вакуум (10-6-10-8 Па). Кроме того, оже-спектрометры снабжают ионными пушками (источниками ионов инертных газов), которые используют для очистки исследуемой поверхности и проведения послойного анализа. Оже-спектрометры для анализа газов имеют вакуумную систему, которая обеспечивает одновременно относительно высокое давление (1-10 Па) исследуемого газа в камере образцов и низкое давление (~10-6Па) в измерительной камере.

Литература

1. Карлсон Т. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия, пер. с англ., Л., 1981

2. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел, пер. с англ., под ред. В. И. Раховского, М., 1981.

3. Сивухин Д. В. Общий курс физики. Том 5. Атомная и ядерная физика. М: Физматлит, 2004, 656 С.

Формализованное описание Показать

Стартовая страница  О системе  Технические требования  Синтез  Обучающий модуль  Справка по системе  Контакты 
Copyright © 2008 РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина